طراحی بخش انتقال توان بی سیم برای ریزتراشه های rfid و زیست پزشکی

در این پایان نامه، به بررسی و طراحی مدارهای بخش تامین توان در کاربردهایی که توان به صورت بی سیم فراهم می شود، در فناوری 0.18 میکرومتر cmos پرداخته شده است. این بخش از چهار بلوک مداری اصلی شامل محدود کننده، یکسوساز ولتاژ، مرجع ولتاژ و جریان و تنظیم کننده ی ولتاژ تشکیل شده است. یک محدود کننده ی کاملا متقارن برای کاهش ولتاژهای زیاد در دو سر آنتن پیشنهاد شده است، که از افزایش بیش از حد سیگنال ورودی در هر دو نیم سیکل مثبت و منفی جلوگیری می کند. یکسوساز کاملا ترانزیستوری مورد استفاده که با مقایسه گر کنترل می شود، با افت ولتاژ کم و بازده زیاد، از سیگنال حامل القایی به آنتن یک ولتاژ تقریباً dc را تهیه می کند. در طرحی جدید، با ایده ی استفاده از اختلاف ولتاژ گیت-سورس ترانزیستورهای nmos سه ولتی و دو ولتی بایاس شده در ناحیه ی زیر آستانه، ولتاژ مرجعی با وابستگی بسیار کم به دما، کرنر و منبع تغذیه، توسط مداری خود بایاس با ساختاری بسیار ساده و موثر تولید می شود. سپس ملاحظاتی برای پایدار سازی و بهبود psrr مدار مرجع اعمال شده است. در نهایت تنظیم کننده ای بدون نیاز به خازن پایدارساز بزرگ خروجی معرفی می گردد و با اعمال تغییراتی در جبرانسازی آن، پهنای باند حلقه بسته ی مدار افزایش داده می شود که منجر به بهبود psrr مدار تنظیم کننده در فرکانس های بالا شده است.